- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RQ6L020SPTCR-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-3.5A；导通电阻：75(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RQ6L020SPTCR-VB
- 商品编号
- C51822574
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
应用领域
- 负载开关
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB
- SQ2337ES-T1_BE3-VB
- SQ2361AEES-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_GE3-VB
- SQ3418EV-T1_BE3-VB
- SQ3418EV-T1_GE3-VB
- SQ3426AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3426CEEV-T1_GE3-VB
- SQ3426CEV-T1_GE3-VB
- RSQ035N06HZGTR-VB
- RVQ040N05HZGTR-VB
- SI2309DS-T1-E3-VB
- SI2392BDS-T1-GE3-VB
- SI3129DV-T1-GE3-VB
- SI3459DV-T1-E3-VB
- SI3476DV-T1-GE3-VB
- SI4534DY-T1-GE3-VB
- SI4559ADY-T1-GE3-VB
- SIHG22N60EF-GE3-VB
- SIL04P06Y-TP-VB
- SP8K52FRATB-VB
- SQ2337ES-T1_BE3-VB
- SQ2361AEES-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3418AEEV-T1_GE3-VB
- SQ3418EV-T1_BE3-VB
- SQ3418EV-T1_GE3-VB
- SQ3426AEEV-T1_BE3-VB
- SQ3426CEEV-T1_GE3-VB
- SQ3426CEV-T1_GE3-VB