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AO4900-VB
N+N沟道；电压：30V；电流：6.8/10A；导通电阻：18(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% UIS 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：机顶盒。 低电流 DC/DC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4900-VB
- 商品编号
- C51822548
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V；8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒
- 低电流DC/DC
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