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NTMT150N65S3HF-VB实物图
  • NTMT150N65S3HF-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTMT150N65S3HF-VB

N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：160(mΩ)

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描述
特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。低输入电容 (Ciss)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。开关模式电源 (SMPS)
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTMT150N65S3HF-VB
商品编号
C51822561
商品封装
DFN-8(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF

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