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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MCQ4559A-TP-VB

N+P沟道；电压：±60V；电流：5.3/-4.9A；导通电阻：26/55(mΩ)

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描述: 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21标准。沟槽功率MOSFET。 100%进行RG和UIE测试。应用：CCFL逆变器
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: MCQ4559A-TP-VB
商品编号: C51822553
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5.3A；4.9A
	导通电阻(RDS(on))	26mΩ@10V；55mΩ@10V
	阈值电压(Vgs(th))	1V；1V
	栅极电荷量(Qg)	8nC@10V；6nC@10V

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