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MMFTP6312D-VB实物图
  • MMFTP6312D-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MMFTP6312D-VB

P+P沟道；电压：-20V；电流：-4A；导通电阻：75(mΩ)

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描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 Trench Power MOSFET。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式应用负载开关。 便携式设备电池开关
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MMFTP6312D-VB
商品编号
C51822557
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@2.5V；75mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)210pF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)45pF

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