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UFS08C2.8L04
ESD 2.8V截止 峰值浪涌电流：24A@8/20us 停产
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- 描述
- UFS08C2.8L04 组件旨在保护先进的低压 CMOS 半导体，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。与硅雪崩二极管工艺相比，该器件提供低关断电压，同时显著降低泄漏电流和电容。UFS08C2.8L04 集成了低电容补偿二极管，可将每条线路的典型电容降低至 5pF
- 品牌名称
- Brightking(君耀电子)
- 商品型号
- UFS08C2.8L04
- 商品编号
- C523558
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.293克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.8V | |
| 钳位电压 | 8.5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 24A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 600W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 5uA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 8pF |
商品概述
UFS08C2.8L04 组件旨在保护先进的低压 CMOS 半导体，使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。与硅雪崩二极管工艺相比，该器件提供低关断电压，显著降低了泄漏电流和电容。 UFS08C2.8L04 集成了低电容补偿二极管，可将每条线路的典型电容降低 5pF。 再加上低泄漏电流，这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。
商品特性
- 符合 IEC61000 - 4 - 2 ESD 30KV 空气放电、30KV 接触放电标准
- 保护四条 I/O 线路
- 在 8/20 μs 波形下的峰值功率耗散为 600W
- 工作电压：2.8V
- 低泄漏电流
- 低工作电压和钳位电压
- 固态硅雪崩技术
- 无铅/符合 RoHS 标准
- 阻燃等级 UL 94V - 0
- 符合 J - STD - 020 的 MSL 1 级标准
- 标记：B SLVU2.8 - 8
应用领域
- 10/100/1000 以太网
- 广域网/局域网设备
- 大电流开关系统
- 台式机、服务器和笔记本电脑
- 仪器仪表
- 模拟输入
- 基站