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2N7002DW
塑料封装双N沟道MOSFET，具备低导通电阻、高饱和电流能力，适用于负载开关和DC/DC转换器
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C51315011
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高饱和电流能力
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC 转换器