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2SD1624
NPN外延平面硅晶体管，快速开关速度，低集电极-发射极饱和电压，大电流容量
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2SD1624
- 商品编号
- C51315078
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW；1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 560 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 快速开关速度。
- 低集电极 - 发射极饱和电压。
- 大电流容量和宽安全工作区（ASO）。