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AO3400
SOT-23封装N沟道增强型场效应塑料封装MOSFET，高密单元设计，低导通电阻，具备出色导通电阻和最大直流电流能力
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- AO3400
- 商品编号
- C51315085
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060758克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力