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2SA2018
PNP硅外延平面晶体管，集电极电流大、饱和电压低
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2SA2018
- 商品编号
- C51315016
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 680 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 260MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极电流大。
- 集电极饱和电压低。
- VCE(饱和)：在 -IC = 200 mA / -IB = 10 mA 时为 250 mV（最大值）
- 标记：BW