商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80；200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 290mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 与2SD1005互补
- 出色的hFE线性度
- 高集电极-基极电压
- 适用于音频功率放大器应用
- 表面贴装器件
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80；200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 290mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |