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SIR426DP-T1-GE3

1个N沟道耐压:40V 电流:30A

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描述: N沟道,40V,30A,12.5mΩ@4.5V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIR426DP-T1-GE3
商品编号: C52893
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.131克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1160pF @ 20V
功率 - 最大值：41.7W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	10.5mΩ@10V,30A
	耗散功率(Pd)	26.7W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V
	栅极电荷量(Qg)	9.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.16nF@20V
	反向传输电容(Crss)	70pF@20V
	工作温度	-55℃~+150℃