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SIR426DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
- 描述
- N沟道,40V,30A,12.5mΩ@4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR426DP-T1-GE3
- 商品编号
- C52893
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- DC/DC转换器
- 同步降压
- 同步整流器
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