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IPB036N12N3G
IPB036N12N3G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB036N12N3G
- 商品编号
- C513215
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 潮湿敏感度等级1级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装（无铅）
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
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