温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HD304N070SG
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = 40V。 ID = 48A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6.5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。 便携式设备应用
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD304N070SG
- 商品编号
- C50132379
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 478pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40 V
- 漏极电流(ID) = 48 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(RDS(on)) < 6.5 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,漏源导通电阻(RDS(on)) < 8 mΩ
- 沟槽型低压功率 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- DC-DC 转换器
- 便携式设备应用
- 电机控制