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HD506N100SG
N沟道 60V 55A
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD506N100SG
- 商品编号
- C50132383
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 60 V
- I0 = 55 A
- RDS(on) @ VGS = 10 V < 13 mΩ
- RDS(on) @ VGS = 4.5 V < 16.5 mΩ
- 采用高密度元胞设计，实现超低导通电阻
- 电压控制型小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关与高频电路
- 不间断电源