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HB02N070S
HB02N070S
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB02N070S
- 商品编号
- C50132385
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V
- 漏极电流(ID) = 60 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 7 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 9 mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 快速开关速度
- 改善的 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 适用于高频开关和同步整流
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