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HK04N010SG
N沟道MOSFET，具有快速开关速度、改进的dv/dt能力和高耐用性，适用于PWM应用和高频电路
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HK04N010SG
- 商品编号
- C50132386
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 297W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 40V
- 漏极电流 ID = 370A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) ＜ 1.2mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 开关速度快
- 改善了 dv/dt 能力，具有高耐用性
应用领域
- PWM 应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理