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HD503N050S
HD503N050S
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD503N050S
- 商品编号
- C50132380
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 85 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 5 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 7 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 电压控制小信号开关
- 开关速度快
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器