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AFT05MS006NT1
高耐用性N沟道增强模式横向MOSFET，适用于手持双向无线电应用
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- AFT05MS006NT1
- 商品编号
- C512026
- 商品封装
- PLD-1.5W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 12V |
- MKL33Z64VLK4
- TEF6686HN/V102K
- MC9S08PA60VLH
- MKL15Z128VFM4
- S9KEAZ64AVLH
- SL3S1013FTB0,115
- S29GL01GS11TFIV10
- S25FL512SAGBHVA10
- S29GL064S80DHIV10
- CY8C24894-24LTXIT
- S25FL064LABMFV013
- S29GL01GS11DHIV20
- S29GL128P11FFI010
- S29GL256P90TFIR23
- S29GL512S10FHI020
- S29JL064J55TFI000
- S29GL128P10FFI020
- S29GL01GS11TFI020
- S25FL128SAGMFI013
- CY8C3246AXI-131
- CY2292FXC