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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 95.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55.2pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 12V |
商品概述
专为频率范围在136至941 MHz的手持双向无线电应用而设计。该器件的高增益、耐用性和宽带性能使其非常适合用于手持无线电设备中的大信号共源放大器应用。
商品特性
- 工作频率范围为136至941 MHz
- 输入和输出无需匹配,可实现宽频率范围应用
- 集成ESD保护
- 集成稳定性增强功能
- 宽带 — 全频段满功率输出
- 出色的热性能
- 极高的耐用性
- 针对TETRA、单边带(SSB)具有高线性度
应用领域
- VHF频段手持无线电输出级
- UHF频段手持无线电输出级
- 700 - 800 MHz手持无线电输出级