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AFT05MP075NR1
高耐用性N沟道增强型横向MOSFET射频功率LDMOS晶体管，适用于移动双向无线电应用
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- AFT05MP075NR1
- 商品编号
- C513807
- 商品封装
- TO-270WB-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 148pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 12V |