S29GL01GS11TFI020
GL-S闪存
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- 描述
- 采用65纳米工艺技术制造,提供快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 商品型号
- S29GL01GS11TFI020
- 商品编号
- C511724
- 商品封装
- TSOP-56-18.5mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
优惠活动
购买数量
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