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S29GL01GS11TFI020

GL-S闪存

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描述
采用65纳米工艺技术制造,提供快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
商品型号
S29GL01GS11TFI020
商品编号
C511724
商品封装
TSOP-56-18.5mm​
包装方式
托盘
商品毛重
0.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型-
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)5MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
待机电流100uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF

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