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VT6M1T2CR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:100mA
- 描述
- 特性：低导通电阻。 小封装（VMT6）。 低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- VT6M1T2CR
- 商品编号
- C510354
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V；2.5Ω@-4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1pF；15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF；1.7pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3pF；4pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(8000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个8000个/圆盘
总价金额：
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