温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 小封装（VMT6）
- 低电压驱动（1.2V驱动）
应用领域
- 开关
相似推荐
其他推荐
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF |