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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF@10V |
交货周期
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