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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 980mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
-开关