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DTDG14GPT100
1A/60V数字晶体管（内置电阻和齐纳二极管）
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- 描述
- 特性：高hFE，最小值为300（VCE / IC = 2V / 0.5A）。 低饱和电压（VCE(sat) = 400mV，IC / IB = 500mA / 5mA）。 内置齐纳二极管，可有效保护免受L负载（感性负载）的反向浪涌影响
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- DTDG14GPT100
- 商品编号
- C509303
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@5mA,500mA | |
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 高hFE。300（最小值）（VCE / IC = 2 V / 0.5 A）
- 低饱和电压。在IC / IB = 500 mA / 5 mA时，(VCE(sat)) = 400 mV
- 内置齐纳二极管，能为L负载（感性负载）产生的反向浪涌提供强大保护。
应用领域
- 驱动器