温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装
- 4V驱动
应用领域
- 开关