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HS8K1TB
2个N沟道 耐压:30V 电流:10A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- HS8K1TB
- 商品编号
- C509888
- 商品封装
- UDFN-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.6mΩ@10V；11.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V；6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 429pF；348pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 开关应用