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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 2700 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 内置偏置电阻
- 单封装内集成两个DTC614T芯片
- 低饱和电压，典型值为IC / IB = 50 mA / 2.5 mA时，VCE(sat) = 40 mV，使这些晶体管非常适合用于静音电路
- 这些晶体管可在高电流水平下使用，IC = 600 mA
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有完全消除寄生效应的优点
- 无铅/符合RoHS标准
应用领域
- 静音电路