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QS6M4TR
2.5V驱动，N沟道+P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：结合了Pch MOSFET和Nch MOSFET在单个TSMT6封装中。 低导通电阻，快速开关。 低电压驱动（2.5V）。应用：负载开关。 逆变器
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS6M4TR
- 商品编号
- C509914
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV；700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@15V；3nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@10V；80pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- QS6M4在单个TSMT6封装中集成了P沟道MOSFET和N沟道MOSFET。
- 导通电阻低，开关速度快。
- 低电压驱动（2.5V）。
应用领域
- 负载开关-逆变器