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PSMNR51-25YLHX
1个N沟道 耐压:25V 电流:380A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56E封装，针对低RDS(on)、高温时低IDSS泄漏、高效率和高电流进行了优化。额定电流为380 A，针对直流负载开关和热插拔应用进行了优化。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMNR51-25YLHX
- 商品编号
- C509076
- 商品封装
- LFPAK56E-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.57mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.487nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.548nF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK56E封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，针对低导通电阻（RDSon）、高温时低漏电流（IDSS）、高效率和大电流进行优化。额定电流达380 A，适用于直流负载开关和热插拔应用。
商品特性
- 在I(AS) = 190 A条件下进行100%雪崩测试
- 优化设计以实现低导通电阻
- 25°C时漏电流低于1 μA
- 低尖峰和振铃，适用于低电磁干扰（EMI）设计
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 采用铜夹设计，降低寄生电感和电阻
- 高可靠性LFPAK封装，可在175°C环境下工作
- 可进行波峰焊接，外露引脚便于实现良好的焊接覆盖和目视焊接检查
应用领域
- 热插拔
- 电子保险丝
- 电源“或”操作
- 直流开关/负载开关
- 电池保护
- 有刷和无刷直流（BLDC）电机控制
- 交流-直流和直流-直流应用中的同步整流
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