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IRFD9220PBF
1个P沟道 耐压:200V 电流:360mA
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFD9220PBF
- 商品编号
- C506432
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,0.34A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4 引脚 DIP 封装是一种低成本、可机器插入的封装样式，可按多种组合方式堆叠在标准 0.1 英寸引脚中心距上。双漏极可作为与安装面的热连接，功率耗散可达 1 W。
商品特性
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定
- 适用于自动插入
- 端部可堆叠
- P 沟道
- 快速开关
- 易于并联