温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFD320PBF
1个N沟道 耐压:400V 电流:0.49A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本、可机器插装的封装形式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装面的热连接，功率耗散最高可达1W
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFD320PBF
- 商品编号
- C506430
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 490mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,0.21A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装面的热连接，功率耗散水平可达1 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-适用于自动插入-端部可堆叠-快速开关-易于并联-驱动要求简单