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PESD1LIN,115-JSM实物图
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PESD1LIN,115-JSM

双向配置、固态硅雪崩技术的ESD保护二极管

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描述
单向
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD1LIN,115-JSM
商品编号
C49364046
商品封装
SOD-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)15V;24V
钳位电压27V;45V
峰值脉冲电流(Ipp)7A@8/20us;10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压(VBR)26.7V;16.7V
属性参数值
反向电流(Ir)200nA
通道数-
工作温度-
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容35pF

商品特性

  • 350瓦峰值脉冲功率(脉冲时间tp = 8/20微秒)
  • 双向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 反向电压:15V、24V
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • IEC61000 - 4 - 2标准下 ±30kV接触放电;±30kV空气放电
  • IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)40A(5/50纳秒)
  • IEC 61000 - 4 - 5(雷击浪涌)10/7A(8/20微秒)
  • SOD323封装
  • 模塑料可燃性等级:UL 94V - 0
  • 包装形式:卷带包装
  • 符合RoHS/WEEE标准

应用领域

  • 微处理器基础设备
  • 笔记本电脑、台式机和服务器
  • 便携式仪器
  • LIN总线保护

数据手册PDF