温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMT80060DC
1个N沟道 耐压:60V 电流:43A 电流:292A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT80060DC
- 商品编号
- C504898
- 商品封装
- DualCool-88-8
- 包装方式
- 编带
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 292A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@8V,37A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.406nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体（Fairchild Semiconductor）先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 43 A时，最大rDS(on) = 1.1 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 37 A时，最大rDS(on) = 1.3 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- 8x8mm薄型MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换