MT40A256M16LY-062E IT:F
4Gb:X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
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- 描述
- 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV / + 250mV,片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O,TC 最高可达 95°C。 64ms,8192 周期刷新,最高可达 85°C。 32ms,8192 周期刷新,在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4,x8):每组 4 个存储体,共 4 组
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT40A256M16LY-062E IT:F
- 商品编号
- C504879
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 54mA | |
| 刷新电流 | 8.6mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;CRC功能;自动预充电功能;ZQ校准功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- CC0201KRX7R9BB102
- CC0201KRX5R7BB473
- CC0402KRX7R7BB154
- CC0201BRNPO9BN5R6
- CC0402BRNPO9BN5R6
- CC0201BRNPO9BNR75
- CC0201BRNPO9BN2R2
- CC0201BRNPO9BN4R7
- CC0201KRX5R8BB223
- CC0201KRX7R9BB391
- CC0402BRNPO9BN3R9
- CC0201BRNPO9BN2R7
- CC0201KRX7R8BB682
- CC0201KRX7R9BB561
- CC0201BRNPO9BNR80
- CC0402CRNPO9BN7R5
- CC0603KRX7R8BB472
- CC0201KRX7R8BB222
- CC0201KRX7R8BB152
- CC0201KRX5R8BB103
- CC0201CRNPO9BN1R8


