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NTTFS4C25NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:27A 电流:5A
- 描述
- 生产批次:1726，每日可领取2pcs，如介意，请勿领用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS4C25NTAG
- 商品编号
- C505510
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，更高效率以延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 微型芯片场效应晶体管表面贴装封装
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理；例如，移动电话、无绳电话和PCMCIA卡