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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM20PB12D8

双P沟道MOSFET

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描述
应用:反向电池保护。负载开关。电源管理。PWM应用
商品型号
TPM20PB12D8
商品编号
C49333215
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.10015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))620mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.75nF
反向传输电容(Crss)220pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)320pF

应用领域

  • 反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用

数据手册PDF