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CGU06N65F2SAA
IGBT单管
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- 描述
- 650V/6A/-40~+175℃/TO-252/
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CGU06N65F2SAA
- 商品编号
- C49330887
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
CGU06N65F2SAA 采用 JSCJ 的第二代 IGBT 技术，具备先进的沟槽和场截止结构，拥有低集电极-发射极饱和电压、快速开关速度、低开关损耗，易于并联使用。封装形式为 TO-252-2L。
商品特性
- 650V 击穿电压
- 低 Vce(sat) 和正温度系数
- 高速开关，低开关损耗
- 集成快速软恢复续流二极管
- 高短路鲁棒性
- 良好的 EMI 特性
应用领域
- 电机驱动器
- 家用电器应用
- 低功率硬开关应用