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MCI100N65E3A2
IGBT模块
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- 描述
- 650V/100A/-40~+150℃/Easy 2B/
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- MCI100N65E3A2
- 商品编号
- C49330893
- 商品封装
- A2
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 48.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
MCI100N65E3A2模块采用第三代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止结构，具有极低的集电极-发射极饱和电压，易于在驱动器和逆变器中使用。
商品特性
- 低Vce(sat)和正温度系数
- 低开关损耗
- 标准封装
- 焊接接触技术