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MCP75N120S2C3
IGBT模块
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- 描述
- 1200V/75A/-40~+150℃/EconoPIM3/
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- MCP75N120S2C3
- 商品编号
- C49330895
- 商品封装
- C3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 307.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
MCP75N120S2C3模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止IGBT技术，提供非常低的集电极-发射极饱和电压，易于在驱动器和逆变器中使用。
商品特性
- 结温Tvj op = 150°C
- 低Vce(sat)和正温度系数
- 低开关损耗
- 标准外壳
- 焊接接触技术
应用领域
- 伺服驱动器
- 医疗应用
- 电机驱动器
- 辅助逆变器