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CGPT40N65F2KBT
IGBT单管
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- 描述
- 650V/40A/-40~+175℃/TO-3P/
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CGPT40N65F2KBT
- 商品编号
- C49330888
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.843333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.62V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该器件采用第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止结构，具有高应用频率、低集电极-发射极饱和电压和低开关损耗，易于并联使用。提供TO-247和TO-3P封装。
商品特性
- 650V击穿电压
- 低Vce(sat)和正温度系数
- 高速开关，低开关损耗
- 集成快速软恢复续流二极管
- 良好的电磁干扰特性
应用领域
- 不间断电源与功率因数校正应用
- 太阳能逆变器
- 储能系统