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GM4N65GT
场效应管(MOSFET)
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- 描述
- GM4N60 是一款高压功率 MOSFET，其设计具备更优特性，如开关时间快、栅极电荷低、导通电阻低，且具有高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥接电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- GMIC(绿微)
- 商品型号
- GM4N65GT
- 商品编号
- C49329009
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.299505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
4N65是一款高压MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 当VGS = 3 V时，RDS(ON) = 2.7 Ω
- 超低栅极电荷（典型值15 nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值8.0 pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高稳健性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路