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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SiLM27624LCA-DG

30V,5A 双通道低侧栅极驱动器

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描述
双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计,能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟,典型值为20ns。在12V VDD电源下,提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。
商品型号
SiLM27624LCA-DG
商品编号
C49329025
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.174498克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)5A
工作电压4.5V~30V
上升时间(tr)7ns
下降时间(tf)6ns
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)1.8V
输入低电平(VIL)1.2V
静态电流(Iq)-
功能特性使能关断;交错导通保护

商品概述

SiLM27624 是一款双通道、高速、低边栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。其设计旨在最小化直通电流,能够为容性负载提供高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力和极小的传播延迟,典型值为 20ns。该器件在 12V VDD 电源下可提供 5.0A 源极和 5.0A 漏极峰值驱动电流能力。

商品特性

  • 两个独立的栅极驱动通道
  • 5.0A 峰值源极和 5.0A 峰值漏极电流驱动能力
  • 快速传播延迟(典型值 20ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值 7ns 和 6ns)
  • 4.5V ~ 30V 单电源范围
  • 欠压锁定
  • 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑阈值
  • 输入端可处理负电压(-5V)
  • 两通道间 2ns 延迟匹配
  • 可并联两个输出以获得更高驱动电流
  • 输入浮空时输出保持低电平
  • 工作温度范围 -40℃ ~ 150℃
  • SOP8 和 MSOP8-EP 封装选项

应用领域

  • 开关模式电源
  • DC-DC 转换器
  • 电机控制
  • 太阳能发电
  • 新兴宽带隙功率器件(如 GaN)的栅极驱动

数据手册PDF