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RC023N10BGTL
N沟道 100V 280A
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- 描述
- N沟道，漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：286W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC023N10BGTL
- 商品编号
- C49329027
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 286W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进SGT单元设计
- MSL1
应用领域
- 电池管理系统(BMS)
- 无人机
- 高功率逆变器系统
- 轻型电动汽车