温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR60N06
N沟道 60V 60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR60N06
- 商品编号
- C49305512
- 商品封装
- TO252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.873nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 252pF |
商品概述
XR60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR60N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术