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XR10P10Q
P沟道 100V 10A
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR10P10Q
- 商品编号
- C49305565
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
XR10P10Q是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。XR10P10Q符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术