温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XRS120P10T
P沟道 100V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS120P10T
- 商品编号
- C49305568
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.349nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 111.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 798pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理
相似推荐
其他推荐