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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XR70R750FT

N沟道 700V 6A

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描述
采用超级结技术设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款超级结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。符合RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证,具备全功能可靠性认证。
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XR70R750FT
商品编号
C49305571
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.906克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))715mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@480V
输入电容(Ciss)325pF@100V
反向传输电容(Crss)1.3pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)32pF

商品概述

XR70R750FT采用超级结技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC - DC开关电源(SMPS)要求。 XR70R750FT符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 超低栅极电荷
  • 100%保证抗雪崩能力(EAS)
  • 提供绿色环保器件
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 先进的沟槽栅超级结技术

数据手册PDF