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XR70R320FT

N沟道 700V 12A

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描述: 采用超结技术设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。这款超结MOSFET适用于行业AC-DC开关电源 (SMPS) 的功率因数校正 (PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量 (EAS)，并通过全功能可靠性认证。
品牌名称: XNRUSEMI(新锐)
商品型号: XR70R320FT
商品编号: C49305570
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.892克(g)

商品参数

商品概述

XR70R320FT采用超结技术进行设计，可在实现极低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源(SMPS)的要求。 XR70R320FT符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量(EAS)测试，具备全面的功能可靠性。

商品特性

超低栅极电荷
100%经过雪崩耐量(EAS)测试
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制能力
先进的沟槽栅极超结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	320mΩ@10V,3A
	耗散功率(Pd)	26W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	26nC@480V
	输入电容(Ciss)	753pF@100V
	反向传输电容(Crss)	1.4pF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	40pF